• Factor de forma- M2 2280
• Interfaz- PCI-Express 40 x4 NVMe 13
• Capacidad total- 1000 GB
• Velocidad de lectura secuencial- hasta 5000 MB / s
• Velocidad de escritura secuencial- hasta 4400 MB / s
• Nivelacion de desgaste tecnologias de sobreaprovisionamiento
• Compatible con TRIM y SMART
• Esparcidor de calor de cobre de cuerpo completo

ESPECIFICACIONES-

Interfaz
PCI-Express 40x4 NVMe 13
Factor de forma
M2 2280
Capacidad total
1000 GB
NAND
3 D TLC Toshiba BiCS4
Cache DDR externo
DDR4 de 1 GB
Velocidad de lectura secuencial
Hasta 5000 MB / s
Velocidad de escritura secuencial
Hasta 4400 MB / s
IOPS de lectura aleatoria
hasta 750k
IOPS de escritura aleatoria
hasta 700k
Dimension
8 05 x 114 x 235 mm
Tiempo medio entre fallos MTBF
177 millones de horas
Consumo de energia activo
Promedio- R- 66 W Ancho- 64 W
Consumo de energia inactivo
1 88mw
Temperatura en funcionamiento
0 ° C hasta 70 ° C
Temperatura almacenamiento
-40 ° C hasta 85 ° C