Factor de forma- M2 2280
Interfaz- PCI-Express 40 x4 NVMe 13
Capacidad total- 500 GB
Velocidad de lectura secuencial- hasta 5000 MB / s
Velocidad de escritura secuencial- hasta 2500 MB / s
Nivelacion de desgaste tecnologias de exceso de aprovisionamiento
TRIM y SMART compatibles
Esparcidor de calor de cobre de cuerpo completo
Garantia- limitada de 5 anos

Nota- 1 GB mil millones de bytes La capacidad utilizable real puede variar
Velocidades basadas en pruebas internas El rendimiento real puede variar

ESPECIFICACIONES-

Interfaz
PCI-Express 40x4 NVMe 13
Factor de forma
M2 2280
Capacidad total
500GB
NAND
TLC 3D Toshiba BiCS4
Cache DDR externa
512MB DDR4
Velocidad de lectura secuencial
Hasta 5000 MB / s
Velocidad de escritura secuencial
Hasta 2500 MB / s
IOPS de lectura aleatoria
hasta 400k
Escritura aleatoria IOPS
hasta 550k
Dimension
805 x 114 x 235 mm
Tiempo medio entre fallas MTBF
177 millones de horas
Consumo de energia activo
Promedio- R- 59W W- 45W
Consumo de energia inactivo
1321 mW
Temperatura en funcionamiento
0 ° C a 70 ° C
Temperatura almacenamiento
-40 ° C a 85 ° C